Обзор продукта
- Номер продукта
- NJG1812ME4-TE1
- ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
- Nisshinbo Micro Devices
- Каталог
- RF Switches
- ОПИСАНИЕ продукта
- HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC
Документы и СМИ
- Диаши
- NJG1812ME4-TE1
информация о продукте
- Circuit :
- DPDT
- Features :
- DC Blocked
- Frequency Range :
- 3GHz
- IIP3 :
- -
- Impedance :
- 50Ohm
- Insertion Loss :
- 0.45dB
- Isolation :
- 17dB
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 105°C
- P1dB :
- -
- Package / Case :
- 12-XFQFN Exposed Pad
- Part Status :
- Active
- RF Type :
- CDMA, GSM, LTE, UMTS
- Supplier Device Package :
- 12-EQFN (2x2)
- Test Frequency :
- 2.7GHz
- Topology :
- -
- Voltage - Supply :
- 2.4V ~ 5V
ОПИСАНИЕ продукта
HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC
Рекомендуемые продукты
Вы можете искать
MKP385224160JC02R0
EKMM421VSN151MR25T
M6104-3506-A
B32652A6683J289
392-026-541-207
ELXG250VSN123MA30S
M6051-3005-A
MKT1818368014D
EKMM451VSN221MA30M
345-069-541-104
EKMQ451VND221MA25S
GCB24DYFN-S1355
MKP385230160JDI2B0
8008-256-S
387-014-523-812
8333-832-SS
MKT1817256405W
EKMM421VSN181MP45S
M6254-6010-A
B32672L8103K189