Обзор продукта
- Номер продукта
- MWS5114D2
- ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
- Rochester Electronics
- Каталог
- Memory
- ОПИСАНИЕ продукта
- 1024X4-BIT STANDARD SRAM,
Документы и СМИ
- Диаши
- MWS5114D2
информация о продукте
- Access Time :
- 250 ns
- Clock Frequency :
- -
- Memory Format :
- SRAM
- Memory Interface :
- Parallel
- Memory Size :
- 4Kb (1K x 4)
- Memory Type :
- Volatile
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Part Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- 18-SBDIP
- Technology :
- SRAM - Synchronous
- Voltage - Supply :
- 4.5V ~ 6.5V
- Write Cycle Time - Word, Page :
- 250ns
ОПИСАНИЕ продукта
1024X4-BIT STANDARD SRAM,
Рекомендуемые продукты
Вы можете искать
VE-B1D-EV-S
ATS-13A-199-C3-R0
VE-B1K-EX-F2
ATS-08B-156-C1-R0
SI5351A-B07302-GMR
ATS-19A-185-C1-R0
SI5335D-B05620-GM
LTV-8141S
VE-22P-MW-B1
HCPL-1930#300
MOC5007M
SI5351A-B04145-GT
ATS-07C-199-C3-R0
VE-B1D-EW-F2
ATS-14A-18-C1-R0
VE-B1K-EX-S
FODM8061R2
ATS-08B-161-C1-R0
SI5351A-B07576-GMR
ATS-19A-144-C3-R0
