Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
HN1B04FE-Y,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Каталог
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
ОПИСАНИЕ продукта
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Документы и СМИ

Диаши
HN1B04FE-Y,LF

информация о продукте

Current - Collector (Ic) (Max) :
150mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition :
80MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SOT-563, SOT-666
Part Status :
Active
Power - Max :
100mW
Supplier Device Package :
ES6
Transistor Type :
NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V

ОПИСАНИЕ продукта

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Рекомендуемые продукты