Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
NE58219-T1-A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
CEL (California Eastern Laboratories)
Каталог
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
ОПИСАНИЕ продукта
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL

Документы и СМИ

Диаши
NE58219-T1-A

информация о продукте

Current - Collector (Ic) (Max) :
60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
5GHz
Gain :
5dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
125°C (TJ)
Package / Case :
SC-75, SOT-416
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
100mW
Supplier Device Package :
SC-75 (USM)
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V

ОПИСАНИЕ продукта

NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL

Рекомендуемые продукты