Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
NE85639-T1-A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
CEL (California Eastern Laboratories)
Каталог
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
ОПИСАНИЕ продукта
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL

Документы и СМИ

Диаши
NE85639-T1-A

информация о продукте

Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition :
7GHz
Gain :
13dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.1dB @ 1GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-253-4, TO-253AA
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
200mW
Supplier Device Package :
SOT-143
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V

ОПИСАНИЕ продукта

SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL

Рекомендуемые продукты