Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
RN1911,LXHF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Каталог
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
ОПИСАНИЕ продукта
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1

Документы и СМИ

Диаши
RN1911,LXHF(CT

информация о продукте

Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition :
250MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status :
Active
Power - Max :
200mW
Resistor - Base (R1) :
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
-
Supplier Device Package :
US6
Transistor Type :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V

ОПИСАНИЕ продукта

AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1

Рекомендуемые продукты