Обзор продукта
- Номер продукта
- IGN1011L1200
- ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
- Integra Technologies
- Каталог
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- ОПИСАНИЕ продукта
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Документы и СМИ
- Диаши
- IGN1011L1200
информация о продукте
- Current - Test :
- 160 mA
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Gain :
- 16.8dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- PL84A1
- Part Status :
- Active
- Power - Output :
- 1250W
- Supplier Device Package :
- PL84A1
- Transistor Type :
- HEMT
- Voltage - Rated :
- 180 V
- Voltage - Test :
- 50 V
ОПИСАНИЕ продукта
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Рекомендуемые продукты
Вы можете искать
SIT9120AC-2D2-XXS212.500000
104M06QC150
36S200P.5
356P4000B4I2T
AD7543JPZ-REEL
AE4RM0080000U100PS
4300-008
SIT9120AI-2D2-XXE133.330000
SBSGC5000153MXT
056.30020.00-B
PALLV22V10Z-25JI
SG-9101CE 18.4320M-C20PHAAA5
8079
MX7541AJP+
E100/60/28-3C94-G500
TMA568-70BUI48AWT
SIT9120AC-2D2-33S133.330000
FN7612-10-M3
37SNSP.5
356P4000B4I3T
