Обзор продукта
- Номер продукта
- IGN1011L70
- ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
- Integra Technologies
- Каталог
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- ОПИСАНИЕ продукта
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Документы и СМИ
- Диаши
- IGN1011L70
информация о продукте
- Current - Test :
- 22 mA
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Gain :
- 22dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- PL32A2
- Part Status :
- Active
- Power - Output :
- 80W
- Supplier Device Package :
- PL32A2
- Transistor Type :
- GaN HEMT
- Voltage - Rated :
- 120 V
- Voltage - Test :
- 50 V
ОПИСАНИЕ продукта
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
