Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
HGTD1N120BNS9A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
Каталог
Transistors - IGBTs - Single
ОПИСАНИЕ продукта
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Документы и СМИ

Диаши
HGTD1N120BNS9A

информация о продукте

Current - Collector (Ic) (Max) :
5.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
6 A
Gate Charge :
14 nC
IGBT Type :
NPT
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status :
Active
Power - Max :
60 W
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-252AA
Switching Energy :
70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
15ns/67ns
Test Condition :
960V, 1A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V

ОПИСАНИЕ продукта

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Рекомендуемые продукты