Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
IGW75N65H5XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
Каталог
Transistors - IGBTs - Single
ОПИСАНИЕ продукта
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3

Документы и СМИ

Диаши
IGW75N65H5XKSA1

информация о продукте

Current - Collector (Ic) (Max) :
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
300 A
Gate Charge :
160 nC
IGBT Type :
Trench
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Part Status :
Active
Power - Max :
395 W
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Switching Energy :
2.25mJ (on), 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
28ns/174ns
Test Condition :
400V, 75A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V

ОПИСАНИЕ продукта

IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3

Рекомендуемые продукты