Добро пожаловать на наш веб-сайт, наше рабочее время: с понедельника по пятницу 9: 00-18: 00.

Обзор продукта

Номер продукта
UJ3N120065K3S
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
UnitedSiC
Каталог
Transistors - JFETs
ОПИСАНИЕ продукта
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3

Документы и СМИ

Диаши
UJ3N120065K3S

информация о продукте

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
5 µA @ 1200 V
Current Drain (Id) - Max :
34 A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200 V
FET Type :
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1008pF @ 100V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Part Status :
Active
Power - Max :
254 W
Resistance - RDS(On) :
55 mOhms
Supplier Device Package :
TO-247-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
1200 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
-

ОПИСАНИЕ продукта

1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3

Рекомендуемые продукты