Обзор продукта
- Номер продукта
- 2N2609
- ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
- Microchip Technology
- Каталог
- Transistors - JFETs
- ОПИСАНИЕ продукта
- JFETS
Документы и СМИ
- Диаши
- 2N2609
информация о продукте
- Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
- 2 mA @ 5 V
- Current Drain (Id) - Max :
- 10 mA
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- -
- FET Type :
- P-Channel
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 10pF @ 5V
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Part Status :
- Active
- Power - Max :
- 300 mW
- Resistance - RDS(On) :
- -
- Supplier Device Package :
- TO-18 (TO-206AA)
- Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
- 30 V
- Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
- 750 mV @ 1 A
ОПИСАНИЕ продукта
JFETS
Рекомендуемые продукты
Вы можете искать
C8051F526A-IM
SIT3372AC-1E9-33NG200.000000
SIT3372AC-1E9-33NC15.360000
T0051383699N
1489T-8-S
2426-2520-AL
1407-12-S
26800B-427
SIT3372AC-1E9-25NX148.351648
BD-A1
1848-832-N
R5F100JFAFA#10
SIT3372AC-2E9-30NE200.000000
26800B-463
S1C17W04F102100-490
C8051F817-GSR
SIT3372AC-1E9-30NZ76.800000
SIT3372AC-1E9-25NU77.760000
26700-505
1631A-440-AL-7