Обзор продукта
- Номер продукта
- 2N5115E3
- ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
- Microchip Technology
- Каталог
- Transistors - JFETs
- ОПИСАНИЕ продукта
- JFET
Документы и СМИ
- Диаши
- 2N5115E3
информация о продукте
- Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
- -
- Current Drain (Id) - Max :
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30 V
- FET Type :
- P-Channel
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 25pF @ 15V
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Part Status :
- Active
- Power - Max :
- 500 mW
- Resistance - RDS(On) :
- 100 Ohms
- Supplier Device Package :
- TO-18 (TO-206AA)
- Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
- 30 V
- Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
- -
ОПИСАНИЕ продукта
JFET
Рекомендуемые продукты
Вы можете искать
832-40-050-10-052000
D38999/26TB2PN
850-90-029-30-001000
1625900000
1859577
D38999/24FD5JB
451-10-216-00-004000
622-M15-660-BT5
627W2W2-224-1NA
630-2WK2640-4T5
G62014
451-10-218-00-010000
627-2WK2622-1N1
1779796
1625770000
D38999/24ZH21JE
M83723/83G2041N
FTMH-140-03-L-DV-EC
832-10-028-30-001000
1859580